Výrobca Číslo produktu:
TSM60NB099CF C0G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM60NB099CF C0G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 38A ITO220S
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 38A (Tc) 69W (Tc) Through Hole ITO-220S
Inventár:
905 Ks Nové Originálne Na Sklade
12896678
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM60NB099CF C0G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
38A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
99mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2587 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
69W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ITO-220S
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TSM60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
TSM60NB099CF C0G-DG
TSM60NB099CFC0G
-2068-TSM60NB099CFC0G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TSM60NB099CF
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TSM60NB099CF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.64
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
STF40N65M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STF40N65M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.83
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM80N08CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220
DMP3008SFG-7
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
TSM10N80CI C0G
MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220AB